GIS氣體離子源 當(dāng)前位置:主頁(yè) > 技術(shù)說(shuō)明 > GIS氣體離子源
磁控濺射是一種理想的金屬蒸發(fā)靶源：放電工作穩(wěn)定、沉積速率易控、鍍膜均勻好。但是，在進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)性鍍膜（TiN、TiO2）時(shí)，通入的反應(yīng)性氣體，會(huì)造成磁控靶面的毒化（化學(xué)反應(yīng)），蒸發(fā)速率的急劇降低…等一系列雪崩式后果，造成磁控濺射反應(yīng)鍍膜極大的不穩(wěn)定性和不可控性，為了解決這一問(wèn)題，北京北方華創(chuàng)丹普表面技術(shù)有限公司開(kāi)發(fā)出矩形氣體離子源（GIS）。
GIS的優(yōu)點(diǎn)
● 無(wú)燈絲、無(wú)空心陰極、無(wú)熱陰極、無(wú)柵極，氣體離子源上不產(chǎn)生金屬濺射污染；適用于任何惰性和反應(yīng)性氣體，以及它們的混合氣；
● 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，絕緣性好、使用壽命長(zhǎng)、很少維護(hù)需要；
● 矩形結(jié)構(gòu)，與矩形磁控濺射源尺寸完全匹配，并向真空室鍍膜區(qū)域均勻布?xì)猓?/div>
● 在磁控濺射的真空范圍內(nèi)，離子源能夠正常穩(wěn)定放電工作；離子源需要進(jìn)氣量符合磁控濺射源的工作條件；
● 端法蘭結(jié)構(gòu)密封，方便安裝。360度任意調(diào)整布?xì)夥较颉?/div>
GIS技術(shù)的應(yīng)用
1、GIMS-TiN（1微米以上的厚TiN膜），再鍍Au（合金）或玫瑰金等（高檔IPG）。單爐一次性完成；
2、GIMS-SS+TiN（厚膜），再鍍Au（合金）或玫瑰金等（單爐一次性完成）。然后，再進(jìn)行部分掩膜退去外層的TiN層和金層，實(shí)現(xiàn)白和金色的雙色效果；
3、通入Ar氣GIS放電，實(shí)現(xiàn)Ar離子的轟擊清洗功能---等離子體處理（清洗），代替了衛(wèi)浴潔具電鍍工件的水質(zhì)超聲清洗功能。實(shí)現(xiàn)了綠色環(huán)保技術(shù)要求；
4、對(duì)集成電路表面進(jìn)行GIS-Ar離子轟擊清洗，加強(qiáng)塑料封裝外殼表面金屬化的膜層結(jié)合力。
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