HIPIMS濺射技術(shù) 當(dāng)前位置:主頁(yè) > 技術(shù)說(shuō)明 > HIPIMS濺射技術(shù)
1999年，瑞典Kouznetsov等首先開發(fā)采用高功率脈沖作為磁控濺射的供電模式，通過(guò)在普通磁控濺射Cu陰極上施加峰值功率達(dá)MW級(jí)的脈沖放電，獲得了Cu離化率高達(dá)70%的等離子體，開辟了高功率脈沖磁控濺射技術(shù)的先河，此后其他研究者在HIPIMS技術(shù)放電機(jī)理、等離子體特性和各種涂層應(yīng)用等方面做了大量工作。
HIPIMS是高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（High power impulse magnetron sputtering）的簡(jiǎn)稱，其原理是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來(lái)產(chǎn)生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術(shù)，HIPIMS的峰值功率可以達(dá)到MW級(jí)別，但由于脈沖作用時(shí)間短，其平均功率與普通磁控濺射一樣，這樣陰極不會(huì)因過(guò)熱贈(zèng)增加靶材冷卻。HIPIMS綜合了磁控濺射低溫沉積、表面光滑、無(wú)顆粒缺陷和電弧離子鍍金屬離化率高、膜層結(jié)合力強(qiáng)、涂層致密的優(yōu)點(diǎn)，且離子束流不含大顆粒，在控制涂層微結(jié)構(gòu)的同時(shí)獲得優(yōu)異的膜基結(jié)合力，在降低涂層內(nèi)應(yīng)力及提高膜層致密性、均勻性等方面具有閑著的優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為是PVD發(fā)展史上近30年來(lái)很重要的一項(xiàng)技術(shù)突破，特別是在硬質(zhì)涂層和功能涂層的應(yīng)用方面有顯著優(yōu)勢(shì)。
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