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　　采用硬質(zhì)膜層對(duì)工模具的表面進(jìn)行強(qiáng)硬化處理已進(jìn)入工業(yè)應(yīng)用研究階段，而膜層具有良好的附著力是其可實(shí)際應(yīng)用的前提。采用各種梯度過渡層結(jié)構(gòu)可提高厚膜與各類模具鋼基底的結(jié)合強(qiáng)度。工業(yè)生產(chǎn)中大部分成分梯度過渡層是采用直流反應(yīng)磁控濺射制備的，但對(duì)于高精密、大面積、鏡面級(jí)模具采用直流反應(yīng)磁控濺射時(shí)，靶中毒會(huì)引發(fā)打火現(xiàn)象，使膜層出現(xiàn)麻點(diǎn)，達(dá)不到使用要求；且沉積時(shí)環(huán)境復(fù)雜多變，過程難以調(diào)控。射頻濺射可獲得優(yōu)質(zhì)膜層，但其靶表面形成電壓小，沉積率低。采用磁過濾則成膜面積有限且效率低。中頻磁控濺射(MF-sputtering)工藝過程穩(wěn)定，可在大范圍內(nèi)進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化以提高沉積速率，沉積優(yōu)質(zhì)薄膜。中頻磁控濺射已應(yīng)用于ZAO、TiO等光學(xué)薄膜的制備，有研究者采用中頻對(duì)靶磁控濺射了多層硬質(zhì)膜。Cr的抗氧化能力較強(qiáng)，與鋼基底的結(jié)合性能好，已作為過渡層應(yīng)用于WC及DLC等硬質(zhì)膜層。本文作者設(shè)計(jì)了成分梯度CrC膜層結(jié)構(gòu)，采用廣州有色金屬研究院設(shè)計(jì)的孿生中頻磁控濺射結(jié)合無燈絲離子源工業(yè)型設(shè)備進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。在前期大量研究的基礎(chǔ)上，采用兩組正交實(shí)驗(yàn)對(duì)界面Cr層和梯度層的沉積工藝參數(shù)對(duì)附著性能的影響進(jìn)行系統(tǒng)研究，對(duì)比分析了膜層的劃痕和Rocwell-C壓痕。

 

　　1、實(shí)驗(yàn)

 

　　1.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與樣品制備

 

　　實(shí)驗(yàn)在北京丹普表面技術(shù)有限公司生產(chǎn)的全自動(dòng)控制PVD鍍膜設(shè)備ASM600DMTG上進(jìn)行，設(shè)備示意圖見圖1。設(shè)備右邊為TwinMagⅡ方形中頻孿生磁控濺射靶(MFMS)，左邊為兩個(gè)直流磁控濺射(DCMS)和兩個(gè)長(zhǎng)條狀無燈絲離子源(IBS)。爐內(nèi)采用加熱棒進(jìn)行加熱，公自轉(zhuǎn)工件架上施加偏壓。沉積過程經(jīng)過編程由電腦全自動(dòng)控制。

圖 1  設(shè)備示意
 

　　實(shí)驗(yàn)用氣體為99.99%的高純Ar氣、99.99%的高純CH4氣體和99.99%的高純N2氣。靶材為矩形金屬Cr?；捎霉杵⒋笃讳P鋼片(15mm×15mm)和水磨拋光Cr12MoV(10mm×10mm×10mm)冷作模具鋼，經(jīng)乙醇、丙酮超聲清洗烘干。膜層由界面Cr層和梯度層兩部分組成。針對(duì)這兩部分，分別設(shè)計(jì)了界面Cr層和梯度層的正交實(shí)驗(yàn)，根據(jù)前期的研究選取因素水平，表1和2為因素水平表。實(shí)驗(yàn)本底真空為5×10−3Pa，通入純Ar氣至0.5Pa在800V負(fù)偏壓下對(duì)基底進(jìn)行Ar離子清洗20min。對(duì)梯度層沉積參數(shù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)，Cr層沉積時(shí)間為3min、離子源電流為2A，中頻功率為6kW。進(jìn)行Cr層沉積參數(shù)實(shí)驗(yàn)時(shí)，梯度層采用前面實(shí)驗(yàn)得到的優(yōu)化參數(shù)進(jìn)行。梯度過渡結(jié)構(gòu)通過漸進(jìn)調(diào)整反應(yīng)進(jìn)氣實(shí)現(xiàn)：沉積CrN/CrNC層時(shí)N2氣量由25mL/min調(diào)至5mL/min，沉積時(shí)間為36min；一定時(shí)間后通入CH4氣體由10mL/min調(diào)至75mL/min，沉積時(shí)間為68min，最終得到CrN/CrNC/CrC層。

表 1  過渡層因素水平表 

表 2  Cr 界面層因素水平表 

 

　　1.2 測(cè)試方法

 

　　采用6JA光干涉顯微鏡測(cè)量膜層厚度。采用MD−5型努氏硬度計(jì)測(cè)量膜層硬度，載荷為0.245N，保載時(shí)間為15s。采用WS−97涂層附著力劃痕實(shí)驗(yàn)機(jī)進(jìn)行劃痕實(shí)驗(yàn)，最大載荷為100N，加載速度為100N/min，劃痕速度為4mm/min。同時(shí)采用Rockwell−C對(duì)附著性能進(jìn)行分級(jí)(壓力載荷為1500N)，HF1到HF4為附著情況良好，HF5和HF6為膜層失效。采用Sirion200場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡觀察膜層形貌，用電子能譜(EDS)線掃描進(jìn)行膜層梯度成分分析，掃描步長(zhǎng)為20nm。

 

　　2、結(jié)果與討論

 

　　2.1 膜層表面和梯度層成分分析

 

　　圖2所示為模具鋼上膜層的掃描電鏡表面形貌?？梢姳砻嬷旅芫鶆?，基本上無液滴顆粒。所有鍍膜大片不銹鋼樣品均無麻點(diǎn)出現(xiàn)，表面光潔，呈銀色鏡面狀。圖3所示為膜層的截面形貌，可見膜層厚度均勻一致，約為1µm厚。采用矩形靶結(jié)合無燈絲離子源技術(shù)，保證了大面積膜層表面質(zhì)量及厚度的均勻。

圖 2  膜層表面 SEM 形貌


圖 3  膜層截面 SEM 形貌 

 

　　圖4所示為采用電子能譜(EDS)對(duì)膜層截面中的C、Cr、N、Fe元素進(jìn)行線掃描的結(jié)果。由膜層表面向基底讀譜：膜層成分呈漸變分布，C元素相對(duì)強(qiáng)度保持到距表層0.5µm處才開始下降，Cr元素在0~1µm處相對(duì)強(qiáng)度單調(diào)上升，Cr元素與Fe元素在基底與膜層邊界處相對(duì)強(qiáng)度漸變，形成良好的過渡區(qū)。譜中金屬Cr元素的電子能譜強(qiáng)度較非金屬的高。如表面Cr和C鍵合狀態(tài)一定，深入膜層則C與Cr相對(duì)強(qiáng)度變化趨勢(shì)相同。圖中距表層0.5µm處C強(qiáng)度下降而Cr強(qiáng)度升高，Cr強(qiáng)度升高應(yīng)歸因于來自CrCN\CrN中的Cr。圖譜中N應(yīng)處于距表層0.5~1µm之間，由于檢測(cè)方法所限，EDS譜中的N元素由于不敏感而不易測(cè)出。由于Fe與Cr良好的相溶性，圖譜中界面處Fe和Cr含量漸變，Cr界面層的沉積有效地提高了附著性能。

 

圖 4  膜層截面的 EDS 線掃描分析結(jié)果 
 

　　2.2 膜層厚度和硬度

 

　　表3所列為梯度層沉積工藝調(diào)整膜層厚度的正交實(shí)驗(yàn)結(jié)果。膜層厚度在偏壓a水平的均值最大，為1.49µm，c水平的最低，為1.44µm，極差為0.05；中頻功率c水平的均值最大，為1.58µm，a水平的最低，為1.39µm，極差為0.18；工作壓強(qiáng)c水平的均值最大，為1.58µm，a水平的最低，為1.39µm，極差為0.18。中頻功率和工作氣壓對(duì)厚度的影響相對(duì)顯著。采用高中頻功率和高工作氣壓的樣品厚度均在1.5µm左右，平均沉積速率為18nm/min。Cr層沉積時(shí)間最長(zhǎng)僅為3min，Cr層沉積工藝的調(diào)整對(duì)膜層厚度的影響很小。

 

表 3  梯度層沉積工藝實(shí)驗(yàn)?zāi)雍穸日环治?nbsp;


表 4  梯度層沉積工藝實(shí)驗(yàn)硬度正交分析 

 

　　表4所列為梯度層沉積工藝調(diào)整正交實(shí)驗(yàn)?zāi)拥呐嫌捕?Hk)結(jié)果。偏壓b水平的均值最大，為15.07GPa，a水平的最低，為13.46GPa，極差為1.60；中頻功率c水平的均值最大，為14.52GPa，a水平的最低，為13.28GPa，極差為1.23；工作壓強(qiáng)c水平的均值最大，為14.48GPa，b水平的最低，為13.20GPa，極差為1.27。樣品6硬度最大，Hk為16.63GPa；樣品1硬度最小，Hk為13.05GPa。梯度層實(shí)驗(yàn)中偏壓的調(diào)整對(duì)硬度影響較大，中頻功率影響最小。在界面Cr層沉積工藝調(diào)整實(shí)驗(yàn)中，樣品硬度Hk穩(wěn)定分布于15GPa左右，中頻功率極差值最大，但僅為0.76。梯度層沉積工藝的調(diào)整對(duì)硬度影響較大，Cr的碳化物硬度高于氮化物，高功率提高摻入Cr量且高偏壓有助于Cr—C鍵的形成。

 

　　2.3 膜層附著性能

 

　　表5所列為梯度層附著力的正交實(shí)驗(yàn)結(jié)果。由直觀分析可知：偏壓a水平的均值最大，為27N，b水平的最低，為22.38N，極差為4.61；中頻功率c水平的均值最大，為26.31N，a水平的最低，為23.62N，極差為2.69；工作壓強(qiáng)b水平的均值最大，為25.78N，a水平的最低，為24.14N，極差為1.63。比較均值可知，最佳附著力工藝條件為：偏壓a水平(100V)，中頻功率c水平(6.5kW)，工作氣壓b水平(0.6Pa)。偏壓的極差最大，梯度層的沉積工藝參數(shù)中偏壓對(duì)附著性能的影響最大。表6所列為界面Cr層工藝調(diào)整實(shí)驗(yàn)附著力正交分析結(jié)果。樣品14的附著力最大，為40.9N；Cr層沉積時(shí)間B水平的均值最大，為31.41N，A水平的最低，為16.89N，極差為14.52；離子源電流C水平的均值最大，為28.27N，A水平的最低，為16.35N，極差為11.92；中頻功率C水平的均值最大，為25.72N，B水平的最低，為22.04N，極差為3.67。最佳工藝參數(shù)為：Cr層的沉積時(shí)間2min，離子源功率4A，中頻功率水平6.5kW。

表5 梯度層附著力正交分析


表 6  界面 Cr 層附著力正交分析結(jié)果

 

　　由極差值判斷，Cr層沉積的時(shí)間影響最顯著，其次為輔助離子源電流，中頻功率的最小。Cr層正交實(shí)驗(yàn)的極差值遠(yuǎn)大于梯度層，說明界面的結(jié)合狀態(tài)及結(jié)構(gòu)是附著力的主要決定因素。合適的金屬Cr層可有效提高膜層附著力。采用劃痕儀的聲納信號(hào)表征附著強(qiáng)度時(shí)，不可避免地會(huì)受到基底表面狀況、膜層脆性及外部環(huán)境的影響。實(shí)驗(yàn)通過掃描電鏡分析對(duì)比了劃痕及壓痕的形貌。根據(jù)正交分析結(jié)果，梯度層沉積工藝中偏壓對(duì)附著性能的影響最大，真空度的影響最小。圖5所示為相同中頻功率、不同偏壓下制備的樣品劃痕形貌。由圖可見，樣品6最先出現(xiàn)膜層剝落，其次為樣品3；隨著載荷增大，3條劃痕均出現(xiàn)膜層裂紋擴(kuò)展變小。這可能是由于表面的CrC是脆性的，載荷增大劃痕壓頭深入膜層，CrN層承載大部分載荷所致。圖6所示為對(duì)應(yīng)的Rockwell-C壓痕。由圖可見，樣品9膜層裂紋擴(kuò)展半徑最小，壓痕圓周界面脫膜最少，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)分級(jí)為HF3，樣品3和6均為HF4，但可明顯看出樣品3的裂紋擴(kuò)展半徑較小些。由劃痕和壓痕對(duì)比，它們對(duì)附著性能的判斷與正交分析結(jié)果一致。梯度層沉積工藝對(duì)附著性能的影響較小。圖7所示為離子源電流相同、不同Cr層沉積時(shí)間的3個(gè)樣品12、15、18的劃痕形貌。由圖可見，樣品15膜層末脫落的痕跡最長(zhǎng)，而樣品12的最短且其膜層脫落擴(kuò)展明顯大于另外兩個(gè)樣品?？梢?，太薄的Cr層不利于改善附著性能。圖中仍出現(xiàn)了裂紋收縮的現(xiàn)象。圖7中3條劃痕的差異較圖5的大，表明Cr層沉積對(duì)附著性能的影響較大。由于Cr層沉積時(shí)間與離子源功率極差值較大，圖8比較了同離子源電流、不同Cr層沉積時(shí)間下制備的樣品12、15、18的壓痕形貌。由圖可明顯地看出附著性能的差異，樣品15分級(jí)為HF2，樣品18為HF3，樣品12為HF5。厚金屬層會(huì)惡化附著性能，而高功率離子源電流輔助沉積則可改善其附著性能。由壓痕可知，Cr層沉積時(shí)間與離子源電流仍為影響附著性能的主要因素，但最優(yōu)結(jié)果為樣品15，與正交分析和劃痕結(jié)果不同。這種差異的出現(xiàn)可能與兩種測(cè)試方法有相關(guān)，劃痕在劃動(dòng)過程中存在動(dòng)運(yùn)，對(duì)于應(yīng)用中的滑動(dòng)部件，其結(jié)果與膜層摩擦因數(shù)等相關(guān)；而壓痕則由上往下壓，對(duì)應(yīng)沖壓部件，其結(jié)果更多依賴于膜層的脆性。在實(shí)際研究中可根據(jù)實(shí)驗(yàn)情況選擇測(cè)評(píng)方法。與劃痕的對(duì)比相同，圖8中Cr層實(shí)驗(yàn)的壓痕差異較明顯，進(jìn)一步證明Cr層工藝調(diào)整對(duì)膜層附著性能影響顯著。

圖 5  梯度層沉積工藝實(shí)驗(yàn)劃痕微觀形貌 


圖 6  梯度層沉積工藝實(shí)驗(yàn)洛氏壓痕形貌 


圖 7  界面 Cr 層工藝調(diào)整實(shí)驗(yàn)劃痕微觀形貌 


圖 8  界面 Cr 層沉積工藝實(shí)驗(yàn)洛氏壓痕形貌 

 

　　3、結(jié)論

 

　　1)采用孿生中頻磁控濺射結(jié)合無燈絲離子源可沉積得到大面積優(yōu)質(zhì)梯度過渡Cr/CrN/CrNC/CrC膜層。
　　2)膜層附著性能較好的優(yōu)化工藝參數(shù)為：界面Cr層沉積時(shí)間2min，離子源電流4A，中頻功率6.5kW；梯度層沉積偏壓100V，中頻功率6.5kW，真空度0.6Pa。
　　3)在所選范圍內(nèi)，界面層沉積工藝的調(diào)整對(duì)附著性能的影響較梯度層沉積工藝的調(diào)整顯著，適當(dāng)厚度的金屬層和離子源輔助沉積能有效提高附著力。梯度層沉積工藝調(diào)整可優(yōu)化膜層力學(xué)性能。

作者：牛仕超，余志明，代明江，林松盛，侯惠君，李洪武